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SQD23N06-31L
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.5
2.1
1.7
1.3
0.9
0.5
I D = 15 A
V GS = 10 V
100
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.25
0.20
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.6
0.3
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source Drain Diode Forward Voltage
0
0.15
- 0.3
0.10
- 0.6
I D = 5 mA
0.05
0
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 0.9
- 1.2
I D = 250 μA
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
80
I D = 1 mA
76
72
68
64
60
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
S11-2065-Rev. B, 24-Oct-11
4
Document Number: 68869
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